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사업분야

Display Glass Edge Exposure Unit

Wafer Edge Exposure Unit
UV LED 광원을 이용하여 반도체 웨이퍼 주변부를 노광(박리)하는 장치

개요
- 반도체 Photo 공정 Track 설비 웨이퍼 주변노광 수행
- i-line(365nm) 파장 UV LED를 이용한 반도체(8인치, 12인치) 주변노광 장치
- UV LED 광원 웨이퍼 주변노광장치 세계최초개발 및 최초 양산 라인 적용, 특허 최초 등록
특징
- LED 광모듈과 메인컨트롤러 1Set 구성, PC 연동설정 모니터링 가능
- 수은램프 대신 친환경적인 LED로 대체, 유지비용 절감/저 소비전력 실현
- 예열 시간 없이 점등 후 즉시 노광
적용 분야
- 반도체 Photo 공정 Track 설비
- DNS 80A, 80B
- TEL MARK-7,8 / TEL ACT 8,12 / TEL Lithius
- SEMES K-spin 8,12 / SEMES Lozix

차별성

Wafer Edge Exposure Unit
비교항목 Wafer Edge Exposure Unit
수은램프 UV LED 자사제품
파장대역 200~400nm 복합파장 365nm / 385nm 단일파장
광출력 1,500mW/cm2 5,000mW/cm2
광파이어 사용 사용안함
예열시간 10min 없음
환경오염 중금속(수은) 없음
소비전력 350W 12W
광원 수명시간 1,500H 20,000H 이상
광원교체횟수 6회/1년 0.5회/1년
설비 모니터링 불가능 가능

UV LED EEU Application

  • 반도체 MARK-7, 8
    i-line 365nm
  • 반도체 DNS 80A, B
    i-line 365nm
  • 반도체 K-SPIN 8, 12
    i-line 365nm
  • 반도체 ACT 8, 12
    i-line 365nm
  • 반도체 LOZIX 12
    i-line 365nm
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